3.随机存储器(RAM)。
随机存储器RAM也称读/写存储器,不但能读取已存的信息,还可随时写入新的信息,或改写原来的数据。
RAM中的每个存储单元相当于一个可控缓冲器,可随时读入或取出信息(读/写);断电后,存储单元的信息即消失。
(1)RAM的结构。
随机存储器RAM主要由存储矩阵、地址译码器和读写控制电路(I/O电路)等组成RAM的结构示例如图2-42所示。
(2)RAM的类型。
RAM根据所采用的存储器单元工作原理的不同,分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)两种。
SRAM:静态随机存储器通常釆用双极型晶体管或场效应晶体管(MOS)构成的触发器作为记忆单元,其特点是只要接通电源,数据就可长期保存。
DRAM:动态随机存储器中采用电容(C)和CMOS组成记忆单元,由于电容会漏电因而需要经常“刷新”。通常,需要2ms充电一次,故CMOS需备刷新电源。
