从最基本的NPN双极型晶体管和PNP双极型晶体管的构造开始介绍,这两种半导体元件也是最常见的单片1C(在硅电路板上作为一体构造而成的1C)上的元件。图5-1和图5-2为这两种元件的构造。
下面对NPN双极型晶体管的工作原理进行说明。发射极对GND(接地)、集电极、基极等施加正电压时,将带有正电荷的空穴提供给发射极。在此诱导下,带有负电荷的电子从发射极流入集电极。基极区流入空穴和电子,所以电阻下降。因此,发射极的电子流向集电极,品体管导通(ON)。发射极电流具体为约1%的基极电流和约99%的集电极电流,也就是说,集电极电流相当于基极电流的100倍。如果减小基极和发射极之间的电位,则流入发射极的空穴供给减少。所以,从发射极流入集电极的电子也会相应减少,晶体管关断(OFF),所以说,NPN双极型晶体管是一种通过基极电流控制集电极电流 ON/OFF的元件,且集电极电流约为基极电流的100倍,也可以说NPN双极型晶体管是一种较大增幅基极电流的元件。PNP双极型晶体管如图52所示,采用电流横向流动的横向PNP晶体管。
