半导体压敏电阻式进气压力传感器的识别

(1)半导体压敏电阻式进气压力传感器的结构其结构如图4-4所示,它是利用半导体的压阻效应制成的,主要由硅膜片、真空室、硅杯、底座、真空管和电极引线组成。 (2)半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原理其工作原理如图4-5所示,硅膜片面通过真空室,另一面承受来自进气歧管中气体的压力,在此气体压力的作用下,硅膜片会产生变形,且压力越大形变越大,硅膜片上应变电阻的阻值在此压应力的作用下就会发生变化,使传感器上以惠斯顿电桥方式连接的硅膜片应变电阻的平衡被打破,当电桥的输入端输入一定的电压或电流时,在电桥的输出端便可得到相应变化的信号电压或信号电流,因为此信号比较微弱,故采用了混合集成电路进行放大后输入ECU因为压阻效应式进气歧管压力传感器的功能部件是硅膜片和应变电阻,其工作参数取决于作用于膜片上的压力的大小,所以传感器的取样压力应从压力波动较小的部位选取。如桑塔纳2000系列轿车的进气压力都从稳压箱处选取,可以避免压力波动对检测信号的影响。