在单片机或微型计算机中,存储器是用来存储程序指令和数据的部件。存储器是由许多具有记忆功能的存储电路构成的,每个记忆存储电路存储1个二进位信息(0或1),称为存储器的存储位(bit),每8个记忆存储电路构成存储器的一个基本单元,存储8位二进制信息,称为存储字节(Byte）。 存储器有多种分类方法,按读写操作原理可分为只读存储器( Read only Memory,ROM)和随机存取存储器( Random Access Memory,RAM)。按功能可分为程序存储器和数据存储器。按构成材料可分为半导体存储器和磁质存储器。随着半导体技术的发展,半导体存储器的功能和性能得到了大幅度提高,读写操作方式更简便实用。20世纪90年代初期推出的快速擦写型存储器( Flash Memory)充分体现了体积小、功耗低、价格便宜、操作简便的优点。 1.只读存储器： 只读存储器(ROM)是一种一旦信息写入就不可更改,而只能读出的存储器。实质上,ROM是一次性写入、可随机读出的存储器。 一般来说,写入ROM的信息是在脱机状态下进行的,所记录的信息不会由于断电而被破坏,也不会由于断电而丢失。显然,ROM适合于制造厂商大批量生产某一系统时,一次性写入,再供用户使用。 在汽车电控系统中,ROM用来存储制造厂家编制的控制程序、运行程序和原始试验数据(如喷射系统最佳混合气的喷油三维脉谱图数据、最佳点火提前角三维脉谱图数据等),即使点火开关断开(切断电源),ROM中存储的这些信息也不会丢失。按照程序要求确定ROM记忆存储电路中各MOS( Metal- Oxide-Semiconductor,金属-氧化物-半导体)管状态(导通或截止)的过程,称为ROM编程。根据ROM编程方式不同,只读存储器(ROM)可分为掩膜ROM、可编程ROM(即PROM)和可改写ROM(即EROM)三种。 (
1)掩膜ROM：掩膜ROM简称ROM,是由厂家在制作ROM芯片的最后一道工序
时,根据用户和程序要求制作一块决定MOS管连接方式的掩膜,然后将所需的存储内容制作于芯片中。制作完毕后,用户不能更改存储内容。因为编程是以掩膜工艺实现的,所以称为掩膜ROM。掩膜ROM结构简单、集成度高,但掩膜工艺成本高,因此适用于大批量生产。
(2)可编程 PROM：PROM( Programmable Read Only Memory),又称为现场编程ROM。 PROMAM芯片在出厂时未作任何存储操作,现场使用前,用户可用专门的PROM编程器将自己研制的程序或数表一次性地写入PROM中。同掩膜ROM一样,只能写人1次,其存储内容一旦写入就不能更改。可见,这种存储器也适合于生产厂家使用。
(3)可改写 EROM：EROM( Programmable Read Only Memory with Erasable Con-tents),又称为可改写可擦除ROM。EROM芯片存储的内容也是由用户自己采用专门的编程方法写入的,允许反复擦除,重新写入。根据擦除信息的方法不同,EROM分为两类:
类是用紫外线照射擦除,称为可改写可擦除只读存储器,用 UVEPROM或 E2 PROM表示;另一类是用电擦除,称为电可擦除可编程只读存储器,用 EEPROM或 E PROM表示。
UVEPROM是用电信号写入而用紫外线擦除的ROM芯片。在芯片上方有一个圆形或方形窗口,用紫外线照射此窗口就可擦除原有信息。由于阳光中含有紫外线成分,因此在存储内容写入后,要用不透明的标签将窗口密封,防止阳光射入使软件受到破坏。
E2 PROM(电可擦除可编程只读存储器)是一种既用电信号写入也用电信号擦除的ROM芯片。可以通过读写操作进行逐个存储单元的读出和写入,且读写操作十分简单,与随机存储器RAM几乎没有差别,不过写入速度比RAM慢一些。E2 PROM在断电后仍能保存数据,保存时间可
可达10年,其寿命通常规定为1万个擦除写入周期,即可擦写1万次。
