1.三极管的结构。 在一块半导体材料上,制作出三个区,构成两个PN结,并分别从三个区中引出三条引线,再封装在管壳里,如图2-6所示,就构成了一个三极管。 般把中间的区叫基区,两个PN结分别按其作用称为集电结和发射结,集电结连接的区域称为集电区,与发射结相连的区域叫做发射区。从发射区、基区、集电区引出的电极,分别称为发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。 三极管有NPN型和PNP型两种,且分别用符号表示,如图2-6所示。 2.三极管的外形及其型号。 三极管根据体积、封装形式、用途等不同,可分很多种式样,如图2-7所示。
按照半导体器件型号命名方法的规定,国产三极管的型号由五个部分组成,见表2-3。
3.三极管的分类。
(1)按功率分类,三极管可分为大功率、中功率和小功率三极管。
(2)按工作频率分类,三极管可分为高频三极管和低频三极管。
(3)按材料分类,三极管可分为硅材料三极管和锗材料三极管。
(4)按结构分类,三极管可分为NPN型三极管和PNP型三极管,通常所有的硅管以NPN型居多,锗管以PNP型居多。
4.三极管的主要参数。
三极管的参数很多,主要有:
(1)电流放大系数。
1)交流放大系数。当集电极与发射极电压为规定值时,集电极电流的变化量△Ic与基极电流的相应变化量△Ib的比值,叫做三极管的交流电流放大系数,用β来表示,即
β值的大小与三极管有关,一般在20~200之间。
由于β’值与β值比较接近,所以认为β’=β。
(2)极限参数。
1)集电极最大允许电流指三极管参数变化不超过规定值时,集电极允许通过的最大电流如果超过,管子的性能将显著变差。
2)集电极一发射极反向击穿电压指基极开路时,集电极与发射极间的反向击穿电压。
3)集电极允许最大耗散功率三极管正常工作时,集电极能够承受的功耗最大值。